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无铅

IPC218N04N3

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IPC218N04N3
IPC218N04N3

商品详情

  • EAS/Avalanche Energy
    525 mJ
  • RDS (on)
    0.9 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    50 mΩ
  • VBRDSS max
    40 V
  • VDS
    40 V
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2 V to 4 V
  • Thickness
    175
  • Technology
    OptiMOS™ 3
  • Polarity
    N
  • Mode
    Enhancement
  • Die Size (-)
    3.7 mm² to 5.9 mm²
  • Die Size (Area)
    21.83 mm²
  • Die Size (Y)
    3.7 mm
  • Die Size (X)
    5.9 mm
  • Output Drivers
    1
OPN
IPC218N04N3X1SA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 --
封装名 Die Form
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 --
封装名 Die Form
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌最新一代功率 MOSFET —— OptiMOS ™ 40V 和 60V 针对服务器和台式机等开关电源 (SMPS) 中的同步整流进行了优化。此外,这些设备是广泛工业应用的完美选择,包括电机控制、电信、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 与其他器件相比,R 值低 15%
  • 比同类器件高 31% FOM
  • 集成肖特基类二极管

产品优势

  • 最高的系统效率
  • 更少的并联需求
  • 更高的功率密度
  • 降低系统成本
  • 极低的电压过冲

应用

文档

设计资源

开发者社区

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