IPC300N20N3

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IPC300N20N3
IPC300N20N3

商品详情

  • EAS/Avalanche Energy
    40 mJ
  • RDS (on) (@10V) max
    100 mΩ
  • RDS (on)
    9.2 mΩ
  • VBRDSS max
    200 V
  • VDS
    200 V
  • VGS(th)
    2 V to 4 V
  • Thickness
    250
  • Technology
    OptiMOS™ 3
  • Mode
    Enhancement
  • Die Size (-)
    5 mm² to 6 mm²
  • Die Size (X)
    6 mm
  • Die Size (Y)
    5 mm
  • Die Size (Area)
    30 mm²
  • Output Drivers
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
凭借 OptiMOS ™ 200V 和 250V,英飞凌继续提供具有独特性能的一流导通电阻 (R DS(on)) 功率 MOSFET。领先的 R DS(on) 和品质因数 (FOM) 特性可降低功率损耗、提高整体效率并增加功率密度。200V 和 250V 产品系列针对 110V AC 网络照明、HID 灯、DC-DC 转换器和以太网供电 (PoE) 等应用进行了优化。

特性

  • 业界最低的 R DS(on)
  • 最低的 Q g 和 Q gd
  • 全球最低的 FOM

产品优势

  • 最高效率
  • 最高功率密度
  • 最低电路板空间消耗
  • 更少并联需求
  • 系统成本改进
  • 易于设计的产品
  • 环保

应用

文档

设计资源

开发者社区

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