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32 位TriCore™ AURIX™ – TC3xx
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微控制器
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IPC300N20N3
商品详情
-
EAS/Avalanche Energy40 mJ
-
RDS (on) (@10V) max100 mΩ
-
RDS (on)9.2 mΩ
-
VBRDSS max200 V
-
VDS200 V
-
VGS(th)2 V to 4 V
-
Thickness250
-
TechnologyOptiMOS™ 3
-
ModeEnhancement
-
Die Size (-)5 mm² to 6 mm²
-
Die Size (X)6 mm
-
Die Size (Y)5 mm
-
Die Size (Area)30 mm²
-
Output Drivers1
|
OPN
|
|---|
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| 湿度 |
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|
Infineon stock last updated:
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凭借 OptiMOS ™ 200V 和 250V，英飞凌继续提供具有独特性能的一流导通电阻 (R DS(on)) 功率 MOSFET。领先的 R DS(on) 和品质因数 (FOM) 特性可降低功率损耗、提高整体效率并增加功率密度。200V 和 250V 产品系列针对 110V AC 网络照明、HID 灯、DC-DC 转换器和以太网供电 (PoE) 等应用进行了优化。
特性
- 业界最低的 R DS(on)
- 最低的 Q g 和 Q gd
- 全球最低的 FOM
产品优势
- 最高效率
- 最高功率密度
- 最低电路板空间消耗
- 更少并联需求
- 系统成本改进
- 易于设计的产品
- 环保