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商品详情
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ID max3.1 A
-
ID (@25°C) max3.1 A
-
IDpuls max9.1 A
-
Ptot max25 W
-
QG8.2 nC
-
QG (typ @10V)8.2 nC
-
RDS (on) max1400 mΩ
-
RDS (on) (@10V) max1400 mΩ
-
RthJA max62 K/W
-
RthJC max4.91 K/W
-
Rth4.91 K/W
-
VDS max500 V
-
VGS(th)3 V
-
安装SMT
-
封装DPAK
-
工作温度-55 °C to 150 °C
-
引脚数量3 Pins
-
极性N
-
特殊功能price/performance
-
预算价格€/1k0.16
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OPN
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|---|
| 产品状态 |
| 英飞凌封装名称 |
| 封装名 |
| 包装尺寸 |
| 包装类型 |
| 湿度 |
| 防潮包装 |
| 无铅 |
| 无卤素 |
| 符合RoHS标准 |
|
Infineon stock last updated:
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特性
- 降低输出电容中存储的能量 (E oss)
- 高体二极管耐用性
- 降低反向恢复电荷 (Q rr )
- 减少栅极电荷 (Q g )
产品优势
- 轻松控制开关行为
- 与前几代 CoolMOS ™相比,轻载效率更高
- 与标准 MOSFET 相比,成本更具吸引力
- CoolMOS ™技术具有卓越的品质和可靠性