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符合RoHS标准
无铅

IPI086N10N3 G

数据手册
封装
每件.
有存货

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IPI086N10N3 G
IPI086N10N3 G
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    2990 pF
  • Coss
    523 pF
  • ID (@25°C) max
    82 A
  • IDpuls max
    320 A
  • Ptot max
    125 W
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.6 mΩ
  • Rth
    1.2 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    4.5 V
  • Package
    I2PAK (TO-262)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.59
受到推崇的
OPN
IPI086N10N3GXKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 I2PAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 I2PAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 100V OptiMOS ™功率 MOSFET 为高效率、高功率密度 SMPS 提供了卓越的解决方案。与第二好的技术相比，该系列的 R DS(on) 和 FOM (品质因数) 均降低了 30%。

特性

  • 卓越的开关性能
  • 全球最低的 R DS(on)
  • 低 Q g 和 Q gd
  • 卓越的栅极电荷
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 级

产品优势

  • 环保
  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 所需并联更少
  • 最小的电路板空间消耗
  • 易于设计的产品

应用

文档

文档

设计资源

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