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IPI65R190CFD
商品详情
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Rth0.83 K/W
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PackageI2PAK, I2PAK
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PolarityN
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Special Featuresfast recovery diode
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650V CoolMOS ™ CFD2 的替代品是 600V CoolMOS ™ CFD7 650V CoolMOS ™ CFD2 是英飞凌第二代市场领先的高压 CoolMOS ™ MOSFET，带有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600 V CFD 的后继产品，能效更高。与竞争对手的器件相比，更柔和的换向特性以及更好的 EMI 特性使该产品具有明显的优势。
特性
- 集成快速体二极管的 650V 技术
- 硬换向期间的电压过冲有限
- 与 600V CFD 技术相比，Qg 显著降低
- 更严格的 RDS(on) 最大值至 RDS(on) 典型值窗口
- 易于设计
- 与 600V CFD 技术相比，价格更低
产品优势
- 由于体二极管重复换向时 Qrr 较低，因此开关损耗较低
- 自限制 di/dt 和 dv/dt
- 低 Qoss
- 缩短了导通和关断延迟时间
- 卓越的 CoolMOS ™品质