IPL60R185CFD7
在产
符合RoHS标准

IPL60R185CFD7

英飞凌对谐振高功率拓扑的回答
数据手册
封装

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IPL60R185CFD7
IPL60R185CFD7
数据手册
  • Ciss
    1199 pF
  • Coss
    22 pF
  • 最高 ID
    14 A
  • 最高 ID (@25°C)
    14 A
  • 最高 IDpuls
    51 A
  • 最高 Ptot
    85 W
  • Qgd
    9 nC
  • QG (typ @10V)
    28 nC
  • QG
    28 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    185 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    185 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.47 K/W
  • Rth
    1.47 K/W
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Thin-PAK 8x8
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    5 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fast recovery diode
  • 预算价格€/1k
    1
推荐的
OPN
IPL60R185CFD7AUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-VSON-4
封装名 Thin-PAK 8x8
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2a
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VSON-4
封装名 Thin-PAK 8x8
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2a
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CoolMOS ™ CFD7 具有降低的栅极电荷 (Qg) 和改善的关断行为，与竞争产品相比，反向恢复电荷 (Qrr) 降低了 69%，并且具有市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适用于硬谐振拓扑
  • 实现高功率密度
  • 实现更好的控制
  • 开尔文源
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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