现货，推荐
符合RoHS标准

IPM018N10NM5LF2

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性场效应晶体管 2 100 V、1.8 mΩ、176 A，尺寸为 8 mm x 8 mm
数据手册
封装

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IPM018N10NM5LF2
IPM018N10NM5LF2
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    285 A
  • QG (typ @10V)
    142 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.85 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3.15 V
  • Package
    mTOLG (8x8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Wide SOA
受到推崇的
OPN
IPM018N10NM5LF2AUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOG-4
封装名 mTOLG
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOG-4
封装名 mTOLG
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IPM018N10NM5LF2 是英飞凌全新 8x8 mTOLG 中同类最佳的 OptiMOS ™ 5 线性场效应晶体管 2 100 V，提供业界最低的 RDS(on) 和 25˚C 下的宽 SOA。这是一个 JEDEC 认证的封装，与其他 8x8 mm2 鸥翼封装 MOSFET 兼容，即LFPAK88型。 OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术与 mTOLG 封装的结合，旨在为浪涌电流保护应用（例如热插拔、电子保险丝和电池管理系统 (BMS) 中的电池保护）提供最高功率密度。

特性

  • 8 毫米 x 8 毫米尺寸
  • 宽安全操作区 (SOA)
  • 超低导通电阻
  • 更低的漏电流
  • 优化传输特性

产品优势

  • 8x8 mm2 内最高功率密度
  • 低传导损耗
  • 坚固的线性模式操作
  • 更好的电流共享
  • 改进了栅极驱动器兼容性

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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