现货,推荐
符合RoHS标准

IPN60R360P7S

兼具卓越性能和易用性
每件.
有存货

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IPN60R360P7S
IPN60R360P7S
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    9 A
  • ID max
    9 A
  • IDpuls max
    26 A
  • Ptot max
    7 W
  • Qgd
    4 nC
  • QG
    13 nC
  • QG (typ @10V)
    13 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    300 mΩ
  • RthJA max
    160 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SOT-223-3
  • 工作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Price-performance
  • 预算价格€/1k
    0.29
OPN
IPN60R360P7SATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
600 V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 系列是一个通用系列,适用于从低功率SMPS到最高功率等级的广泛应用。在低功耗领域,它是600 V CoolMOS™ CE的继任者,而对于高功率SPMS应用,它是600 V CoolMOS™ P6的替代品。CoolMOS™ P7 是英飞凌最平衡的技术,集易用性和效率性能于一体。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关高效率
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适用于硬谐振拓扑
  • 实现高功率密度
  • 低成本 DPak 替代方案

文档

设计资源

开发者社区

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