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停产
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IPP410N30N

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数据手册
封装

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IPP410N30N
IPP410N30N
数据手册

商品详情

  • Ciss
    5400 pF
  • Coss
    281 pF
  • ID (@25°C) max
    44 A
  • IDpuls max
    176 A
  • Ptot max
    300 W
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    41 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.5 K/W
  • VDS max
    300 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Fast Diode
  • Budgetary Price €/1k
    3.74
OPN
IPP410N30NAKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 300 V MOSFET 采用快速二极管技术，特别针对体二极管硬换向进行了优化。这些器件不仅表现出令人印象深刻的导通电阻 (R DS(on)) 和品质因数 (FOM)，而且还通过市场上最低的反向恢复电荷 (Q rr) 提供高系统可靠性。

特性

  • 快速二极管技术
  • 业界最佳的 R DS(on) >FOM 降低 58%
  • 硬换向坚固性
  • 优化的硬开关行为

产品优势

  • 最高效率和功率密度
  • 减少电路板空间和系统成本
  • 高系统可靠性
  • 最佳开关性能
  • 易于设计的产品

文档

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