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IPP410N30N
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IPP410N30N
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商品详情

  • Ciss
    5400 pF
  • Coss
    281 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    44 A
  • 最高 IDpuls
    176 A
  • 最高 Ptot
    300 W
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    41 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.5 K/W
  • Special Features
    Fast Diode
  • 最高 VDS
    300 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    3.74

OPN
IPP410N30NAKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT
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OptiMOS ™ 300 V MOSFET 采用快速二极管技术，特别针对体二极管硬换向进行了优化。这些器件不仅表现出令人印象深刻的导通电阻 (R DS(on)) 和品质因数 (FOM)，而且还通过市场上最低的反向恢复电荷 (Q rr) 提供高系统可靠性。

特性

  • 快速二极管技术
  • 业界最佳的 R DS(on) >FOM 降低 58%
  • 硬换向坚固性
  • 优化的硬开关行为

产品优势

  • 最高效率和功率密度
  • 减少电路板空间和系统成本
  • 高系统可靠性
  • 最佳开关性能
  • 易于设计的产品
文档

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