IPS65R1K0CE

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IPS65R1K0CE
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数据手册

商品详情

  • ID max
    7.2 A
  • ID (@25°C) max
    7.2 A
  • IDpuls max
    12 A
  • Ptot max
    37 W
  • QG
    15.3 nC
  • QG (typ @10V)
    15.3 nC
  • RDS (on) max
    1000 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1000 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    3.4 K/W
  • Rth
    3.4 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    2.5 V to 3.5 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    IPAK short leads
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    0.25
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CoolMOS™ CE 适用于硬开关和软开关应用。作为现代 SJ MOSFET，它具有低导通和开关损耗，可提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS ™ CE 结合了最佳 R DS(on) 和封装，适用于手机和平板电脑的低功率充电器。

特性

  • 典型值与最大值 RDS(on) 之间的裕度较小
  • 输出电容中存储的能量 (Eoss) 减少
  • 体二极管具有良好的耐用性，反向恢复电荷 (Qrr) 减少
  • 优化的集成 Rg

产品优势

  • 低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 适用于硬开关和软开关
  • 易于控制的开关行为
  • 提高效率并随之降低功耗
  • 减少设计工作量
  • 易于使用

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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