现货，推荐
符合RoHS标准

IPT026N12NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V，采用 TOLL 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPT026N12NM6
IPT026N12NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    224 A
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.6 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • Package
    TOLL (HSOF-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
受到推崇的
OPN
IPT026N12NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
这是采用 TO-Leadless 封装的正常级别 120 V MOSFET，导通电阻为 2.6 mOhm。 与 OptiMOS ™ 3 相比，该技术的特点是：RDS(on) 提高高达 58%，FOMg 提高高达 66%，Qrr 提高高达 90%，FOMoss 提高高达 35%。IPT026N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

特性

  • 极低的反向恢复电荷
  • 优异的栅极电荷 x RDS(on)
  • 高雪崩能量等级
  • 额定结温 175°C
  • 无铅电镀
  • 符合 RoHS 标准且无卤素

产品优势

  • 高效率
  • 提高功率密度
  • 坚固、可靠的性能
  • 营业利润率提高
  • 环保

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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