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IR4427
商品详情
-
关断传播延迟65 ns
-
开通传播延迟85 ns
-
拓扑结构Low-side
-
电压等级25 V
-
质量等级Industrial
-
输入Vcc 范围6 V 至 20 V
-
输出电流 (Source)2.3 A
-
输出电流 (Sink)3.3 A
-
通道2
-
隔离类型Non-isolated
|
OPN
|
IR4427PBF |
|---|---|
| 产品状态 | not for new design |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | N/A |
| 封装尺寸 | 3000 |
| 封装类型 | TUBE |
| 湿度 | NA |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | Yes |
| 无卤素 | Yes |
| 符合RoHS标准 | Yes |
|
|
|
| 产品状态 | not for new design |
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | - |
| 封装尺寸 | 3000 |
| 封装类型 | TUBE |
| 湿度 | NA |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
适用于 IGBT 和 MOSFET 的 20 V 双低侧栅极驱动器 IC，具有典型的 2.3 A 拉电流和 3.3 A 灌电流，采用 8 引线 PDIP 封装并采用电平转换技术。也可提供 8 引脚 SOIC 封装。
特性
- 栅极驱动电源范围：6 至 20 V
- CMOS 施密特触发输入
- 匹配属性。两个通道均延迟。
- 输出与输入同相
- 也可提供无铅产品
应用
图表
Circuit_Diagramm_IR4427S
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