IRF3710ZL

采用 TO-262 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF3710ZL
IRF3710ZL
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    59 A
  • Ptot max
    160 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V)
    82 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    18 mΩ
  • RthJC max
    0.92 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
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