IRF6622

IRF6622

采用 DirectFET SQ 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 59 安培。
数据手册

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IRF6622
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    15 A
  • 最高 ID (@ TA=70°C)
    12 A
  • 最高 Ptot
    34 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.2 W
  • Qgd
    3.8 nC
  • QG
    11 nC
  • 最高 RDS (on)
    6.3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    8.9 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.3 mΩ
  • 最高 RthJC
    3.7 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    25 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET SQ
  • 微型模板
    IRF66SQ-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区