IRF6710S2

采用 DirectFET S1 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 12 安培，具有低导通电阻。
数据手册

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IRF6710S2
IRF6710S2
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商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    37 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    10 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    12 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.8 W
  • Ptot max
    15 W
  • Qgd
    3 nC
  • QG
    8.8 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    11.9 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    5.9 mΩ
  • RDS (on) max
    5.9 mΩ
  • RthJC max
    9.8 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET S1
  • Micro-stencil
    IRF66S1-25
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 100% Rg 测试
  • 低轮廓（小于 0.7 毫米）
  • 双面冷却
  • 针对控制 FET 应用进行了优化
  • 针对高频开关进行了优化
  • 低封装电感

应用

文档

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设计资源

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