IRF6810S

采用 DirectFET S1 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 16 安培,具有低导通电阻。

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IRF6810S
IRF6810S

商品详情

  • ID (@25°C) max
    50 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.1 W
  • Ptot max
    20 W
  • Qgd
    2.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    7.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.2 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    7.3 mΩ
  • RthJC max
    6.3 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • VGS max
    16 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET S1
  • Micro-stencil
    IRF66S1-25
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 100% Rg 测试
  • 低轮廓(小于 0.7 毫米)
  • 双面冷却
  • 针对控制 FET 应用进行了优化
  • 针对高频开关进行了优化
  • 低封装电感

应用

文档

设计资源

开发者社区

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