请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF7301

停产
采用 SO-8 封装的 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF7301
IRF7301
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    5.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    5.3 nC
  • QG (typ @4.5V)
    13.3 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    50 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS(th) min
    0.7 V
  • VGS max
    12 V
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    N+N, N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
IRF7301TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 双 N 沟道 MOSFET

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }