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符合RoHS标准
无铅

IRF7303

采用 SO-8 封装的 IR MOSFET 30 V
数据手册
封装

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IRF7303
IRF7303
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    5.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    5.3 nC
  • QG (typ @10V)
    16.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    50 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    80 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th) min
    1 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SO-8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.19
受到推崇的
OPN
IRF7303TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100 KHz 开关应用进行了硅优化
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 可进行波峰焊

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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