IRFB7446G

IRFB7446G

采用 TO-220AB 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFB7446G
IRFB7446G

商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    123 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    87 A
  • 最高 ID
    87 A
  • 最高 Ptot
    99 W
  • Qgd
    20 nC
  • QG
    62 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.3 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    3.3 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.52 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

应用

文档

设计资源

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