IRFC60R022CDV
即将推出
符合RoHS标准

IRFC60R022CDV

采用英飞凌 CoolMOS™ SJ S7 技术的认证商用现货 600 V、375 A、N 沟道 MOSFET（裸芯片）
数据手册

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IRFC60R022CDV
IRFC60R022CDV
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    375 A
  • 最低 VBRDSS
    600 V
  • 封装
    Bare die
  • 极性
    N
  • 系列
    Assured COTS+ power MOSFETs
  • 认证标准
    JESD-22
  • 配置
    Bare die
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRFC60R022CDV 使用 CoolMOS™ 技术为低频开关应用提供最佳性能。S7技术特点是低 RDS(on)，降低了导通损耗，从而提高了系统效率。它非常适合固态继电器、电子断路器以及开关电源或逆变器应用中的线路整流等应用。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 小封装
  • 高脉冲电流能力
  • 符合 JESD-22 标准
  • 裸芯片

应用

应用
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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