IRFC60R022CDV
即将推出
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符合RoHS标准

IRFC60R022CDV

采用英飞凌 CoolMOS™ SJ S7 技术的认证商用现货 600 V、375 A、N 沟道 MOSFET（裸芯片）
数据手册

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IRFC60R022CDV
IRFC60R022CDV
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    375 A
  • 最低 VBRDSS
    600 V
  • 封装
    Bare die
  • 拓扑结构
    Bare die
  • 极性
    N
  • 系列
    Enhanced COTS power MOSFETs
  • 质量等级
    JESD-22

OPN
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRFC60R022CDV 使用 CoolMOS™ 技术为低频开关应用提供最佳性能。S7技术特点是低 RDS(on)，降低了导通损耗，从而提高了系统效率。它非常适合固态继电器、电子断路器以及开关电源或逆变器应用中的线路整流等应用。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 小封装
  • 高脉冲电流能力
  • 符合 JESD-22 标准
  • 裸芯片

应用

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