IRFH5302D

30V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，集成肖特基二极管，采用 PQFN 5x6mm PQFN 封装
数据手册

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IRFH5302D
IRFH5302D
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    100 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Qgd
    7.9 nC
  • QG (typ @4.5V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    3.7 mΩ
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 特殊功能
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 提供广泛的产品组合

产品优势

  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 行业标准资质等级
  • 低频应用中的高性能
  • 提高功率密度
  • 为设计人员提供灵活性，以选择最适合其应用的器件

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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