IRFHM7194

采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFHM7194
IRFHM7194
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=100°C) max
    25 A
  • ID max
    25 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    34 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    9.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.8 W
  • Ptot max
    37 W
  • Qgd
    4.3 nC
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    16.4 mΩ
  • RDS (on) max
    16.4 mΩ
  • RthJC max
    3.4 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    S3O8 (3x3mm style SuperSO8)
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 低 RDSon（小于 16.4 毫欧姆）可降低传导损耗
  • 低电荷（典型值 13nC）可实现低开关损耗
  • PCB 热阻低（低于 3.4°C/W），散热效果更佳
  • 低剖面（小于 0.9 毫米）可提高功率密度
  • 行业标准引脚排列，实现多供应商兼容性
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 符合 RoHS 环保要求，不含卤素
  • 提高可靠性 MSL1，工业认证

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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