IRFHM8329

30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 3.3mm X 3.3mm PQFN 封装
数据手册

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IRFHM8329
IRFHM8329
数据手册

商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    16 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    13 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    57 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.6 W
  • Ptot max
    33 W
  • Qgd
    4.6 nC
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    8.8 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    6.1 mΩ
  • RDS (on) max
    6.1 mΩ
  • RthJC max
    3.8 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • PCB 热阻低（低于 3.8°C/W）
  • 低轮廓（小于 1.05 毫米）
  • 行业标准引脚排列
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 合格的工业
  • 合格的 MSL1

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }