IRFM054
现货,推荐

IRFM054

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFM054
IRFM054
  • 最高 ID (@100°C)
    35 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    27 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    60 V
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRFM054 是一款采用 TO-254AA 封装的高可靠性 60V 单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }