IRFS4321-7P

采用 7 引脚 D2-Pak 封装的 150V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册

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IRFS4321-7P
IRFS4321-7P
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    86 A
  • Ptot max
    350 W
  • Qgd
    21 nC
  • QG (typ @10V)
    71 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    14.7 mΩ
  • RthJC max
    0.43 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    30 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 工作温度 max
    175 °C
  • 工作温度 min
    -55 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。该设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 与 D2PAK（相同芯片尺寸）相比，额定电流更高（高出 23%）

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 高功率密度

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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