IRFS5615

IRFS5615

采用 D2-Pak 封装的数字音频 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFS5615
IRFS5615

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    33 A
  • 最高 Ptot
    144 W
  • Qgd
    9 nC
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    42 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.045 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

应用

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