IRFU3707Z

IRFU3707Z

采用 I-Pak 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFU3707Z
IRFU3707Z


商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    56 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    39 A
  • 最高 ID
    56 A
  • 最高 Ptot
    50 W
  • Qgd
    3.5 nC
  • QG
    9.6 nC
  • 最高 RDS (on)
    9.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    9.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    12.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    3 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    IPAK (TO-251)
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 超低栅极阻抗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区