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IRH7150

数据手册
封装

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IRH7150
IRH7150
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    21 A
  • ID (@25°C) max
    34 A
  • QG
    160 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    65 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.4 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-204AE
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    5
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO204-3
封装名 TO-204AA (TO-3)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO204-3
封装名 TO-204AA (TO-3)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRH7150 是一款 100V、34A 抗辐射 R4 N 沟道 MOSFET。该 R4 设备采用 TO-204AE 密封封装，在卫星应用中具有数十年经过验证的性能和可靠性。该 COTS 部件采用 MIL-PRF-19500 生产线制造，总剂量高达 100Krad (Si)，具有单粒子效应 (SEE)。非常适合空间电源系统设计中的电机控制和 DC-DC 转换器等开关应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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