IRHF597110SCS
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IRHF597110SCS

数据手册
封装

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IRHF597110SCS
IRHF597110SCS
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    -1.6 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -2.6 A
  • QG
    11 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1000 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF597110SCS 是一个 R5、抗辐射、-100V、-2.6A、单个 P 通道 MOSFET，采用 TO-205AF 封装。凭借较低的 RDS(on) 和栅极电荷，它可以降低开关应用中的功率损耗。它保留了MOSFET的所有优点，例如电压控制和快速开关，并且电气性能高达100krad（Si）TID，符合QIRL分类。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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