IRHF7230
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IRHF7230

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IRHF7230
IRHF7230
  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    3.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.5 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7262
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    350 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHF7230 是采用 TO-205AF 封装的单 N 沟道 MOSFET,额定电压为 200V,电流为 5.5A,具有抗辐射能力。它具有低 RDS(on) 和栅极电荷,可在 DC-DC 转换器和电机控制中实现高效切换,电气性能高达 100krad(Si) TID。这款 R4 技术设备具有 COTS 分类,并且在卫星应用中具有经过验证的性能。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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