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IRHF7430SE

数据手册
封装

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IRHF7430SE
IRHF7430SE
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    1.6 A
  • ID (@25°C) max
    2.6 A
  • QG
    30 nC
  • QPL部件号
    2N7464T2
  • RDS (on) (@25°C) max
    1650 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF7430SE R4 抗辐射 N 沟道 MOSFET 是适用于空间应用的可靠高性能解决方案，最大电压为 500V，电流为 2.6A。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低功率损耗，使其成为开关应用的理想选择。其特点是总剂量和单一事件效应，并具有 COTS 分类。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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