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IRHLF7970Z4

数据手册
封装

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IRHLF7970Z4
IRHLF7970Z4
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • ID (@100°C) max
    -1 A
  • ID (@25°C) max
    -1.6 A
  • QG
    2.8 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1200 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    P
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    2
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLF7970Z4 是一款 R7、抗辐射、-60V、-1.6A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-205AF 封装。其电气性能可承受高达100krad(Si)TID的辐射。该器件保持稳定的阈值电压，同时提供单事件栅极破裂和烧毁免疫力。它非常适合将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到恶劣环境下的电源设备，并可以增加 PWM 的输出电流。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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