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英飞凌的 N 沟道 MOSFET 是一款单抗辐射器件，额定电压为 200V，额定电流为 3.3A。它采用 TO-205AF 封装，电气性能高达 300krad(Si) TID。IR HiRel R7 技术为空间应用提供高性能功率 MOSFET，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低功率损耗。该 MOSFET 非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。
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