IRHLF7S3214SCS

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数据手册

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IRHLF7S3214SCS
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.3 A
  • QG
    18 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1000 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    QIRL

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
英飞凌的 N 沟道 MOSFET 是一款单抗辐射器件，额定电压为 200V，额定电流为 3.3A。它采用 TO-205AF 封装，电气性能高达 300krad(Si) TID。IR HiRel R7 技术为空间应用提供高性能功率 MOSFET，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低功率损耗。该 MOSFET 非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区