IRHLMS797064
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IRHLMS797064

数据手册
封装

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IRHLMS797064
IRHLMS797064
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    -45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -45 A
  • QG
    123 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    18 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    P
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLMS797064 是一款 R7、抗辐射、-60V、-45A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-254AA 低欧姆封装。它的电气性能高达 100krad(Si) TID，同时还保持对单粒子栅极破裂和烧毁的免疫力。非常适合与大多数逻辑门、线性 IC 和由 3.3-5V 电源操作的微控制器接口，并使用逻辑电平驱动信号增加设备的输出电流。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区