IRHLNA797064
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IRHLNA797064

数据手册
封装

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IRHLNA797064
IRHLNA797064
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    -56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -56 A
  • QG
    130 nC
  • QPL部件号
    2N7622U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    15 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    P
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHLNA797064 是一款 R7、抗辐射、-60V、-56A、单 P 通道 MOSFET，采用 SMD-2 封装。该设备在与大多数逻辑门、微控制器和采用 3.3-5V 电源供电的设备连接时，保持单粒子门破裂和单粒子烧毁免疫力。其抗辐射设计和高达 100krad(Si) TID 的电气性能使其成为空间应用的可靠选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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