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IRHLNMC73110

20 V 至 650 V，符合 DLA 和 ESA 太空标准
数据手册
封装

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IRHLNMC73110
IRHLNMC73110
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1A per MIL-STD-750, Method 1020
  • ID (@25°C) max
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • QPL Part Number
    JANSF2N7609U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    290 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R7
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNMC73110 R7 逻辑电平功率 MOSFET 是一款抗辐射、单 N 通道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装额定电压为 100V，额定电流为 6.5A，它是与 CMOS 和 TTL 控制电路接口的简单解决方案。该 COTS 器件的额定 TID 高达 300krad(Si)，即使在暴露于辐射后也能将其阈值电压保持在工作限值内，同时还能免受单粒子栅极破裂和烧毁的影响。

特性

  • 兼容 5V CMOS 和 TTL
  • 快速开关
  • 抗单粒子效应 (SEE)
  • 低总栅极电荷
  • 驱动要求简单
  • 密封
  • 陶瓷封装
  • 表面贴装
  • 重量轻
  • ESD 等级：1A 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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