IRHLNMC7S3214SCS

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This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
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IRHLNMC7S3214SCS
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商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1100 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    QIRL

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHLNMC7S3214SCS R7 MOSFET 是一款抗辐射、250V、3.2A 单 N 沟道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装电气性能高达300krad(Si)TID，具有QIRL分类。它非常适合将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到太空和其他辐射环境中的电源设备，它保持单事件栅极破裂和烧毁免疫力，同时阈值电压保持在可接受的操作限度内。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区