IRHLNMC83Y20
不建议用于新设计

IRHLNMC83Y20

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNMC83Y20
IRHLNMC83Y20
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    17 A
  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • QG
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    15 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • 最高 VF
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNMC83Y20 是一款 SMD-0.2 封装的单 N 通道 R8 MOSFET封装，专为辐射环境而设计。其最大电压为 20V，最大电流为 17A，可与 CMOS 和 TTL 控制电路轻松连接。该 COTS 部件的电气性能高达 300krad(Si) TID，非常适合采用 3.3-5V 电源供电的各种设备类型。

应用

文档

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