不建议用于新设计

IRHLNMC87Y20

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNMC87Y20
IRHLNMC87Y20
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNMC87Y20 MOSFET 是采用紧凑型 SMD-0.2 封装的单径向 N 通道器件。它的设计可承受辐射环境，提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。R8 MOSFET 的电压范围为 20V，额定电流为 17A。它允许 CMOS/TTL 控制电路和电源设备之间进行简单的接口，使其成为 PWM、电压比较器和微控制器等各种应用的理想选择。

应用

文档

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