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IRHLNMC87Y20SCS

数据手册
封装

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IRHLNMC87Y20SCS
IRHLNMC87Y20SCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R8
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    1.7
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNMC87Y20SCS 是一款 SMD-0.2 封装的抗辐射 N 沟道 R8 MOSFET封装它的容量为 20V、17A，可承受高达 300krad（Si）TID，符合 QIRL 空间级分类。由于具有单粒子门破裂和烧毁免疫力，它非常适合与逻辑门、线性 IC 和微控制器接口。阈值电压在整个工作温度和辐射范围内保持稳定。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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