IRHLUB730Z4
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IRHLUB730Z4

数据手册
封装

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IRHLUB730Z4
IRHLUB730Z4
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • 最高 ID (@100°C)
    0.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7616UB
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    680 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UB
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V, 100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE, SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHLUB730Z4 R7 MOSFET 是一种抗辐射 N 沟道器件，额定电压为 60V，电流为 0.8A。其 UB 封装和 300krad(Si) TID 电气性能使其成为空间和辐射环境的理想选择。它具有单粒子门破裂和烧毁免疫力，可与大多数逻辑门、线性 IC 和在 3.3-5V 之间运行的微控制器连接。将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到电源设备的可靠解决方案。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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