IRHM7064
现货，推荐

IRHM7064

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHM7064
IRHM7064
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    35 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    270 nC
  • QPL部件号
    2N7431
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    21 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHM7064 是一款采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术的单 N 通道 R4 MOSFET，适用于空间应用。其电气性能高达 100krad(Si) TID，额定电压为 60V，可处理高达 35A 的电流。其低 RDS(on) 和栅极电荷功能可降低开关应用中的功率损耗。该设备可靠且保留了 MOSFET 的优点，包括电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区