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IRHMS67160A

数据手册
封装

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IRHMS67160A
IRHMS67160A
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    170 C
  • QPL Part Number
    2N7580T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    11 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC LFD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC LFD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS67160A R6 MOSFET 是一款航天级单 N 沟道器件，额定电压为 100V，额定电流为 45A。这些器件具有抗辐射性能，并采用引线式 TO-254AA 低欧姆封装。它们对 SEE 和 LET 性能的免疫力提高到 85 MeV·cm2/mg，是空间应用的理想选择。它们的低 RDS(on) 和快速开关时间使其适合用于 DC-DC 转换器或电机驱动器。

应用

文档

文档

设计资源

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