现货，推荐

IRHMS67260

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMS67260
IRHMS67260
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    240 C
  • QPL Part Number
    2N7584T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    29 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS67260 R6 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、200V、45A 器件，采用 TO-254AA 低欧姆封装。由于具有低 RDS(on) 和栅极电荷，它可降低空间应用中的功率损耗。它提供电压控制、快速切换和温度稳定性，电气性能高达 100krad TID 分类。非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }