现货，推荐

IRHN7250SESCS

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHN7250SESCS
IRHN7250SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    26 A
  • QG
    170 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    100 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.9 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    SMD-1
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    5
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHN7250SESCS R4 抗辐射 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-1 封装，为空间应用提供了高性能解决方案。该 MOSFET 的额定电压为 200V，电流处理能力为 26A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可在 DC-DC 转换器和电机控制应用中最大限度地减少功率损耗。其电气性能高达 100krad(Si) TID，并经过 QIRL 分类，确保性能可靠。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }