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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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- EZ-PD™ CCG8 双/单口 USB-C PD
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IRHNA54064
商品详情
-
ESD等级Class 3B
-
ID (@100°C) max75 A
-
ID (@25°C) max75 A
-
QG165 nC
-
QPL部件号2N7468U2
-
RDS (on) (@25°C) max5.6 mΩ
-
TID max500 Krad(Si)
-
VBRDSS60 V
-
VF max1.3 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装SMD-2
-
极性N
-
生成R5
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸6
-
认证标准COTS
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
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| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | SMD-2 standard | |
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| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
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| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
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|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-2 standard |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
IRHNA54064 R5 抗辐射 N 沟道 MOSFET 是采用 SMD-2 封装的单个 60V、75A 器件。其电气性能高达 500krad(Si) TID 分类，非常适合空间应用。凭借较低的 RDS(on) 和栅极电荷，它可以降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。这些器件保留了 MOSFET 的所有优点，包括电压控制、快速开关和电气参数的温度稳定性。