IRHNA57260SE
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IRHNA57260SE

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IRHNA57260SE
IRHNA57260SE
  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    35 A
  • 最高 ID (@25°C)
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL部件号
    2N7473U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    38 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNA57260SE N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射设备,额定电压为 200V,电流为 35A。R5 器件具有低 RDS(on) 和栅极电荷,可为 DC-DC 转换器和电机控制提供高功率效率。该 COTS 设备专为空间应用而设计,具有总剂量和单粒子效应特性。SMD-2封装采用引线朝下形式,电气性能高达100krad(Si) TID。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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