IRHNA597064
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IRHNA597064

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IRHNA597064
IRHNA597064

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -56 A
  • QG
    200 nC
  • QPL部件号
    2N7524U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    15 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNA597064 是一款 R5、抗辐射、-60V、-56A、单 P 通道 MOSFET,采用 SMD-2 封装。其电气性能高达100krad(Si) TID,并具有低RDS(on)和低栅极电荷,使其适用于DC-DC转换器和电机控制器等开关应用,同时保留了MOSFET在太空和其他极端环境中的优势。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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