IRHNA67260SCS

数据手册

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IRHNA67260SCS
IRHNA67260SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    40 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL部件号
    2N7583U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    28 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNA67260SCS 是采用 SMD-2 封装的单个 R6 N 沟道 MOSFET，能够处理高达 200V 和 40A 的电压。它具有抗辐射性能，电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类。由于其具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，因此凭借其电压控制、快速开关和温度稳定性，它非常适合空间应用。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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