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IRHNA67264

数据手册
封装

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IRHNA67264
IRHNA67264
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    31.5 A
  • ID (@25°C) max
    50 A
  • QG
    220 nC
  • QPL Part Number
    2N7585U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    40 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 IRHNA67264 R6 N 沟道 MOSFET 提供 200V 和 31.5A，电气性能高达 100krad(Si) TID。它是一种采用紧凑型 SMD-2 封装的 COTS 部件，针对空间应用进行了优化，具有低 RDS(on)、低栅极电荷、降低损耗和完善的 MOSFET 优势。LET 高达 90 MeV·cm2/mg，并以总剂量和 SEE 为特征。

应用

文档

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设计资源

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